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        薄膜半导体材料制备系统

        • 磁控溅射仪
        磁控溅射仪

        磁控溅射仪


        磁控溅射仪

        衬底尺寸:4'为主,6'兼容。

        溅射金属膜厚均匀性要求:≤±5%

        靶位:4个。

        极限压力:<6.6×10-6e Pa

        靶材尺寸:3英寸。

        可溅射磁性材料。

        靶与样品距离可调,且可以在30度角度内摆头。

        配置load-lock,可放置56英寸样品,在高真空状态下,由电动马达分别传送每片样品,顺序溅射每片样品,逐一完成5片溅射镀膜。

        样品台可加热至750度,可旋转。

        全自动真空度控制模块。

        气路:ArO2N2

        射频电源:2个,每个600W

        直流电源:2个,每个1000W


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